KCT8101L

KCT8101L 是一种宽带、高度集成、单芯片、单芯片射频前端芯片，它集成了在 700/800/900MHz 频段运行的 TDD 模式射频前端所需的关键射频功能。

KCT8101L 在一颗 CMOS 工艺的单芯片中集成了一个高效率、高线性度的功率放大器 (PA)、一个低噪声放大器 (LNA)、切换发射和接收的开关电路以及相关的匹配网络。

KCT8101L 具有简单的低电压 CMOS 控制逻辑，并且需要最少的外部元件。它专为高输出功率而设计，在接收模式下电流消耗很低。

KCT8101L 采用紧凑、扁平的 3 x 3 x 0.75mm、16 引脚 QFN 封装。 KCT8101L 是实现从 780 到 960MHz 的 sub GHz 的理想射频前端解决方案，支持多种标准，包括 IEEE 802.15.4、802.11p 和 802.11ah。

PA / LNA+BP / SW 一体化集成的 802.15.4, 802.11p和802.11ah 射频前端模组

完整的输入输出端匹配方案

内置直流电压功率检测

所有引脚通过 ESD 静电防护标准

极简的外部电路匹配方案

3mm*3mm 超小封装

通过 ROHS 和 REACH 环保认证

Transmit gain: 28dB

Receive gain: 15dB

Transmit / Receive Switch Circuitry

Low Voltage CMOS Control Logic

Low Noise Figure for the Receive Channel

Very Low DC Power Consumption

ESD Protection Circuitry on All Ports

Minimal External Components Required

Small Package: QFN 16-pin 3×3×0.75mm, with Exposed Ground Pad

MSL3, 260 oC per JEDEC J-STD-020

RoHS and REACH Compliant

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